SAMSUNG980 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe, Solid state-drev
1000 GB, M.2, 7000 MB/s
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs7.000 MB/s, At skrive5.000 MB/s
- IOPS: Læs1.000.000, At skrive1.000.000
SAMSUNG970 EVO Plus M.2 2000 GB PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe, Solid state-drev
Sort, 2000 GB, M.2, 3500 MB/s
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 3.500 MB/s, At skrive: 3.300 MB/s
- IOPS: Læs: 620.000, At skrive: 560.000
SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.450 MB/s, At skrive: 6.900 MB/s
- IOPS: Læs: 1.400.000, At skrive: 1.550.000
SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.450 MB/s, At skrive: 6.900 MB/s
- IOPS: Læs: 1.400.000, At skrive: 1.550.000
SAMSUNGMZ-V8P2T0BW intern solid state drev M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe, Solid state-drev
2000 GB, M.2, 7000 MB/s
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.000 MB/s, At skrive: 5.100 MB/s
- IOPS: Læs: 1.000.000, At skrive: 1.000.000
SAMSUNG870 EVO 2.5" 1000 GB Serial ATA III V-NAND, Solid state-drev
1000 GB, 2.5", 560 MB/s, 6 Gbit/sek.
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 560 MB/s, At skrive: 530 MB/s
- IOPS: Læs: 98.000, At skrive: 88.000
LexarNM620 M.2 1000 GB PCI Express 3.0 3D TLC NAND NVMe, Solid state-drev
1000 GB, M.2, 3300 MB/s
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 3.500 MB/s, At skrive: 3.000 MB/s
- IOPS: Læs: 300.000, At skrive: 256.000
LexarSolid state-drev
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.400 MB/s, At skrive: 6.500 MB/s
- Design: Riser bestyrelsen
SAMSUNG970 EVO Plus M.2 1000 GB PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe, Solid state-drev
Sort, 1000 GB, M.2, 3500 MB/s
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 3.500 MB/s, At skrive: 3.300 MB/s
- IOPS: Læs: 600.000, At skrive: 550.000
WDSolid state-drev
Sort
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.300 MB/s, At skrive: 6.600 MB/s
- IOPS: Læs: 1.200.000, At skrive: 1.100.000
CrucialSolid state-drev
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 5.000 MB/s, At skrive: 4.200 MB/s
- Design: Riser bestyrelsen
SAMSUNGSolid state-drev
Sort
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 1.050 MB/s, At skrive: 1.000 MB/s
- Design: Udv.
ADATASolid state-drev
mørk grå/Guld
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.400 MB/s, At skrive: 6.800 MB/s
- IOPS: Læs: 750.000, At skrive: 630.000
SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.450 MB/s, At skrive: 6.900 MB/s
- IOPS: Læs: 1.200.000, At skrive: 1.550.000
SAMSUNG870 EVO 2.5" 4000 GB Serial ATA III V-NAND, Solid state-drev
4000 GB, 2.5", 560 MB/s, 6 Gbit/sek.
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 560 MB/s, At skrive: 530 MB/s
- IOPS: Læs: 98.000, At skrive: 88.000
SAMSUNG870 EVO 2000 GB Sort, Solid state-drev
2000 GB, 2.5", 560 MB/s, Sort
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 560 MB/s, At skrive: 530 MB/s
- IOPS: Læs: 98.000, At skrive: 88.000
CrucialSolid state-drev
Sort (mat)
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 2.100 MB/s, At skrive: 2.000 MB/s
- Design: 2.5-tomme, Udv.
OWCSolid state-drev
- Kapacitet: 16 terabyte
- Hastighed: Læs: 2.931 MB/s, At skrive: 2.828 MB/s
- Design: Udv.
SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.450 MB/s, At skrive: 6.900 MB/s
- IOPS: Læs: 1.400.000, At skrive: 1.550.000
WDSolid state-drev
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 5.150 MB/s, At skrive: 4.850 MB/s
- IOPS: Læs: 650.000, At skrive: 800.000
OWCSolid state-drev
- Kapacitet: 8 terabyte
- Hastighed: Læs: 2.931 MB/s, At skrive: 2.860 MB/s
- Design: Udv.
SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 5.000 MB/s, At skrive: 4.200 MB/s
- IOPS: Læs: 680.000, At skrive: 800.000
PatriotSolid state-drev
Sort
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.400 MB/s, At skrive: 6.400 MB/s
- Design: Riser bestyrelsen
WDSolid state-drev
Sort
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.300 MB/s, At skrive: 6.600 MB/s
- IOPS: Læs: 1.200.000, At skrive: 1.100.000