
SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.250 MB/s, At skrive: 6.300 MB/s
- IOPS: Læs: 1.000.000, At skrive: 1.350.000

SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.450 MB/s, At skrive: 6.900 MB/s
- IOPS: Læs: 1.200.000, At skrive: 1.550.000

SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.450 MB/s, At skrive: 6.900 MB/s
- IOPS: Læs: 1.400.000, At skrive: 1.550.000

SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 14.700 MB/s, At skrive: 13.300 MB/s
- IOPS: Læs: 1.850.000, At skrive: 2.600.000

LexarSolid state-drev
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.400 MB/s, At skrive: 6.500 MB/s
- Design: Riser bestyrelsen

SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.150 MB/s, At skrive: 6.300 MB/s
- IOPS: Læs: 850.000, At skrive: 1.350.000

KingstonSolid state-drev
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 6.000 MB/s, At skrive: 4.000 MB/s
- Design: Riser bestyrelsen

SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.450 MB/s, At skrive: 6.900 MB/s
- IOPS: Læs: 1.400.000, At skrive: 1.550.000

SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.250 MB/s, At skrive: 6.300 MB/s
- IOPS: Læs: 1.050.000, At skrive: 1.400.000

VerbatimSolid state-drev
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 5.000 MB/s, At skrive: 4.300 MB/s
- IOPS: Læs: 715.000, At skrive: 730.000

SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 14.800 MB/s, At skrive: 13.400 MB/s
- IOPS: Læs: 2.200.000, At skrive: 2.600.000

WDSolid state-drev
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.250 MB/s, At skrive: 6.900 MB/s
- IOPS: Læs: 1.000.000, At skrive: 1.400.000

CrucialBX500 2.5" 1000 GB SATA 3D NAND, Solid state-drev
Sort, 1000 GB, 2.5", 540 MB/s, 6 Gbit/sek.
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 540 MB/s, At skrive: 500 MB/s
- Design: 2.5-tomme

LexarSolid state-drev
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.400 MB/s, At skrive: 6.500 MB/s
- Design: Riser bestyrelsen

SAMSUNG870 EVO 2.5" 1000 GB Serial ATA III V-NAND, Solid state-drev
1000 GB, 2.5", 560 MB/s, 6 Gbit/sek.
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 560 MB/s, At skrive: 530 MB/s
- IOPS: Læs: 98.000, At skrive: 88.000

SAMSUNG870 EVO 2.5" 4000 GB Serial ATA III V-NAND, Solid state-drev
4000 GB, 2.5", 560 MB/s, 6 Gbit/sek.
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 560 MB/s, At skrive: 530 MB/s
- IOPS: Læs: 98.000, At skrive: 88.000

LexarSolid state-drev
Sort/grå
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.000 MB/s, At skrive: 6.000 MB/s
- IOPS: Læs: 800.000, At skrive: 600.000

LexarSolid state-drev
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.400 MB/s, At skrive: 6.500 MB/s
- Design: Riser bestyrelsen

SAMSUNGMZ-77Q2T0 2.5" 2000 GB Serial ATA III V-NAND MLC, Solid state-drev
grå, 2000 GB, 2.5", 560 MB/s, 6 Gbit/sek.
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 560 MB/s, At skrive: 530 MB/s
- IOPS: Læs: 98.000, At skrive: 88.000

WDSolid state-drev
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.250 MB/s, At skrive: 6.900 MB/s
- IOPS: Læs: 1.000.000, At skrive: 1.400.000

WDSolid state-drev
Sort
- Kapacitet: 4 terabyte
- Hastighed: Læs: 7.300 MB/s, At skrive: 6.600 MB/s
- IOPS: Læs: 1.200.000, At skrive: 1.100.000
Ny

WDSolid state-drev
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 14.900 MB/s, At skrive: 14.000 MB/s
- IOPS: Læs: 2.300.000, At skrive: 2.400.000

SAMSUNGSolid state-drev
- Kapacitet: 2 terabyte
- Hastighed: Læs: 14.700 MB/s, At skrive: 13.300 MB/s
- IOPS: Læs: 1.850.000, At skrive: 2.600.000

LexarNM620 M.2 1000 GB PCI Express 3.0 3D TLC NAND NVMe, Solid state-drev
1000 GB, M.2, 3300 MB/s
- Kapacitet: 1 terabyte
- Hastighed: Læs: 3.500 MB/s, At skrive: 3.000 MB/s
- IOPS: Læs: 300.000, At skrive: 256.000